場發射掃描電鏡

發布時間：2021-07-23

產品型號：DM750

所屬分類：電子顯微鏡

描述： DM750場發射掃描電鏡 ?束流大小：1pA～40nA，電子束駐留時間：≥20ns（視頻級成像）。 ?鏡筒內置韋恩過濾器，確保鏡筒內探測器接受效率。 ?透鏡系統：多級高性能透鏡系統，低像差錐形物鏡。 ?物鏡光闌：三孔光闌，可實現真空外二維雙軸微米級精細調節，保留手動調節功能。

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詳情介紹

產品特點：

束流大小：1pA～40nA，電子束駐留時間：≥20ns（視頻級成像）。

鏡筒內置韋恩過濾器，確保鏡筒內探測器接受效率。

透鏡系統：多級高性能透鏡系統，低像差錐形物鏡。

物鏡光闌：三孔光闌，可實現真空外二維雙軸微米級精細調節，保留手動調節功能。

不少于14個可擴展接口，可接 WDS、EDS、BSE、EBSD等多種探測器

技術指標：

分辨率	二次電子分辨率：0.8nm@15kV（SE），1.5nm@1kV（SE），背散射電子分辨率：2.5nm@30kV（BSE）
放大倍數	底片放大倍率范圍≥1X-3000000X,光學放大≥100倍
電子槍	肖特基熱場發射電子槍
加速電壓	20V～30kV，連續可調
自動調整功能	自動對中、聚焦、亮度、對比度、消像散
探測器	高真空二次電子探測器、背散射電子探測器、紅外CCD，束流測量裝置，光學導航
真空系統	一套濺射離子泵+一套吸氣劑離子復合泵，一套渦輪分子泵，一套機械泵；樣品室真空≤1E-4Pa，電子槍倉真空≤2E-7 Pa；全自動真空控制，具有真空互鎖功能。
樣品臺	五軸全自動優中心樣品臺，真空內置電機，樣品臺行程： X≥150mm, Y≥150mm, Z≥60mm， T≥-5°～+75°, R=360°。
能譜儀	探測器：硅漂移探測器有效晶體面積：30mm2 元素探測范圍：B(5) ~ Cf(98) 分辨率：Mn Kα≤129eV @100,000cps 較大輸入計數率 >1,000,000cps 定量分析計數率 >100,000cps 1個探測器，2個圖像通道圖像分辨率：最大8K（可調節） X射線掃描分辨率：最大8K 應用定性及定量分析方法具有圖譜采集功能
濺射儀	離子濺射儀工作原理：磁控濺射可選靶材：金，鉑，金鈀合金，鉛，銀，銅，鉻，銻等全自動操作，簡單易用，非常適用鎢燈絲、臺式掃描電鏡等濺射電流自動調整——設定濺射電流后，系統自動調節真空度，從而達到設定的濺射電流，調整時間＜5s，波動范圍＜±5%；無需按“實驗”鍵調整濺射電流、無需操作“進氣閥”。真空室：φ128×100高硅硼玻璃濺射時間自動記憶——同類樣品一次設定即可；參數改變自動調整——濺射過程中可以隨時調整濺射電流和濺射時長，系統自動計算疊加，無需終止濺射過程；工作完成自動放氣；樣品臺高度調節1秒完成；濺射過程可以利用曲線顯示，清晰直觀。極限真空：小于1Pa 軟硬件互鎖，防誤操作，安全可靠濺射電流高于50mA，停止濺射過程；真空泵工作時，系統無法進行放氣操作；鍍層均勻，導電性良好
探測器	樣品室提供可擴展接口不少于14個，可以外接WDS、EDS、BSE、EBSD等多種附件和探測器。樣品室內二次電子探測器（ETD）（標配）。樣品室內插入式背散射探測器（標配）。 In-Column光電型探測器（標配）。 In-Column半導體型探測器（標配）。

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